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TT8U1
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 100
Unit
nA
Conditions
V GS =± 10V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
2.4
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
80
105
150
180
?
850
60
50
9
25
55
45
6.7
1.7
0.6
? 1
? 1.0
105
140
225
360
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 2.4A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 1.2A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 0.5A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 10V, I D = ? 2.4A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 10V
V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.2A
R L 8.3 ?
R G = 10 ?
V DD ? 10V
V GS = ? 4.5V
I D = ? 2.4A
R L 4.2 ? / R G = 10 ?
? Pulsed
<MOSFET> Body diode (source-drain)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 2.4A, V GS = 0V
? Pulsed
<Di>
Parameter
Forward voltage drop
Reverse leakage
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
Typ.
0.37
?
Max.
0.41
500
Unit
V
μ A
I F = 1.0A
V R = 20V
Conditions
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/5
2009.06 - Rev.A
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